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語音芯片-從沙子到芯片:且看CPU處理器是怎樣煉成的 / 芯片制造生產(chǎn)流程

 

語音芯片直觀來看,就是與語音有關(guān)的芯片,語音是存儲的電子聲音,能發(fā)出聲音的芯片,就是語音芯片,又稱聲音芯片,英文準(zhǔn)確些來說應(yīng)該是Voice IC.
    在語音芯片的大家庭中,根據(jù)聲音的類型不同可分為語音芯片(Speech IC)和音樂芯片(Music IC)兩種.這兒應(yīng)該算是語音芯片專業(yè)的區(qū)分方法 .
    日常生活中,語音芯片應(yīng)用場合和行業(yè)不同,又被大家分為玩具芯片,門鈴芯片,兒歌IC,童車IC等.當(dāng)然這種分類里面也同時存在著語音和音樂芯片 。
以上為前言 ,更多相關(guān)知識參考環(huán)芯公司網(wǎng)站:atchip.com。

簡單地說,處理器的制造過程可以大致分為沙子原料(石英)、硅錠、晶圓、光刻(平版印刷)、蝕刻、離子注入、金屬沉積、金屬層、互連、晶圓測試與切割、核心封裝等級測試、包裝上市等諸多步驟,而且每一步里邊又包含更多細(xì)致的過程。

沙子硅是地殼內(nèi)第二豐富的元素脫氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25%的硅元素,二氧化硅(SiO2)的形式存在,這也是半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。

硅熔煉12英寸/300毫米晶圓級,下同通過多步凈化得到可用于半導(dǎo)體制造質(zhì)量的硅學(xué)名電子級硅(EGS),平均每一百萬個硅原子中最多只有一個雜質(zhì)原子 。環(huán)芯公司此圖展示了是如何通過硅凈化熔煉得到大晶體的,最后得到的就是硅錠(Ingot)。

單晶硅錠整體基本呈圓柱形,重約100千克硅純度99.9999%。

第一階段的合影

硅錠切割橫向切割成圓形的單個硅片也就是我們常說的晶圓(Wafer)。順便說,這下知道為什么晶圓都是圓形的了吧?

晶圓切割出的晶圓經(jīng)過拋光后變得幾乎完美無瑕,表面甚至可以當(dāng)鏡子。事實上Intel自己并不生產(chǎn)這種晶圓,而是從第三方半導(dǎo)體企業(yè)那里直接購買成品然后利用自己的生產(chǎn)線進一步加工,比如現(xiàn)在主流的45nm HKMG(高K金屬柵極)。值得一提的是,Intel公司創(chuàng)立之初使用的晶圓尺寸只有2英寸/50毫米

第二階段合影

光刻膠(Photo Resist)圖中藍(lán)色部分就是在晶圓旋轉(zhuǎn)過程中澆上去的光刻膠液體,類似制作傳統(tǒng)膠片的那種。晶圓旋轉(zhuǎn)可以讓光刻膠鋪的非常薄非常平。

光刻光刻膠層隨后透過掩模(Mask)被曝光在紫外線(UV)之下變得可溶,期間發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)類似按下機械相機快門那一刻膠片的變化掩模上印著預(yù)先設(shè)計好的電路圖案,紫外線透過它照在光刻膠層上,就會形成微處理器的每一層電路圖案 。AC80E一般來說,在晶圓上得到的電路圖案是掩模上圖案的四分之一。

光刻由此進入50-200納米尺寸的晶體管級別一塊晶圓上可以切割出數(shù)百個處理器,不過從這里開始把視野縮小到其中一個上展示如何制作晶體管等部件。晶體管相當(dāng)于開關(guān),控制著電流的方向現(xiàn)在的晶體管已經(jīng)如此之小,一個針頭上就能放下大約3000萬個。

第三階段合影。

溶解光刻膠光刻過程中曝光在紫外線下的光刻膠被溶解掉,清除后留下的圖案和掩模上的一致。

蝕刻使用化學(xué)物質(zhì)溶解掉暴露出來的晶圓部分而剩下的光刻膠保護著不應(yīng)該蝕刻的部分。

清除光刻膠蝕刻完成后光刻膠的使命宣告完成,全部清除后就可以看到設(shè)計好的電路圖案。

第四階段合影

光刻膠再次澆上光刻膠(藍(lán)色部分),然后光刻并洗掉曝光的部分,剩下的光刻膠還是用來保護不會離子注入的那部分材料

離子注入(Ion Implantation)在真空系統(tǒng)中,用經(jīng)過加速的、要摻雜的原子的離子照射(注入)固體材料,從而在被注入的區(qū)域形成特殊的注入層,并改變這些區(qū)域的硅的導(dǎo)電性。經(jīng)過電場加速后注入的離子流的速度可以超過30萬千米每小時。

清除光刻膠離子注入完成后光刻膠也被清除,而注入?yún)^(qū)域(綠色部分)也已摻雜,注入了不同的原子。注意這時候的綠色和之前已經(jīng)有所不同。

第五階段合影。

晶體管就緒至此晶體管已經(jīng)基本完成。在絕緣材(品紅色)上蝕刻出三個孔洞,并填充銅,以便和其它晶體管互連

電鍍在晶圓上電鍍一層硫IC銅,將銅離子沉淀到晶體管上。銅離子會從正極(陽極)走向負(fù)極(陰極)。

銅層電鍍完成后銅離子沉積在晶圓表面,形成一個薄薄的銅層。

第六階段合影。

拋光將多余的銅拋光掉也就是磨光晶圓表面。

金屬層晶體管級別,六個晶體管的組合,大約500納米。在不同晶體管之間形成復(fù)合互連金屬層,具體布局取決于相應(yīng)處理器所需要的不同功能性。 環(huán)芯公司芯片表面看起來異常平滑但事實上可能包含20多層復(fù)雜的電路,放大之后可以看到極其復(fù)雜的電路網(wǎng)絡(luò), 形如未來派的多層高速公路系統(tǒng) 。

第七階段合影

晶圓測試內(nèi)核級別大約10毫米/0.5英寸。圖中是晶圓的局部正在接受第一次功能性測試,使用參考電路圖案和每一塊芯片進行對比

晶圓切片(Slicing)晶圓級別,300毫米/12英寸。將晶圓切割成塊,每一塊就是一個處理器的內(nèi)核(Die)。

丟棄瑕疵內(nèi)核晶圓級別。測試過程中發(fā)現(xiàn)的有瑕疵的內(nèi)核被拋棄,留下完好的準(zhǔn)備進入下一步

第八階段合影。

單個內(nèi)核內(nèi)核級別。從晶圓上切割下來的單個內(nèi)核這里展示的是Core i7的核心。

封裝封裝級別20毫米/1英寸。襯底(基片)內(nèi)核、散熱片堆疊在一起,就形成了我們看到的處理器的樣子。襯底(綠色)相當(dāng)于一個底座,并為處理器內(nèi)核提供電氣與機械界面,便于與PC系統(tǒng)的其它部分交互。散熱片(銀色)就是負(fù)責(zé)內(nèi)核散熱的了

處理器至此就得到完整的處理器了(這里是一顆Core i7)。這種在世界上最干凈的房間里制造出來的最復(fù)雜的產(chǎn)品實際上是經(jīng)過數(shù)百個步驟得來的這里只是展示了其中的一些關(guān)鍵步驟 。

第九階段合影。

等級測試最后一次測試可以鑒別出每一顆處理器的關(guān)鍵特性,比如最高頻率、功耗發(fā)熱量等,并決定處理器的等級比如適合做成最高端的Core i7-975 Extreme,還是低端型號Core i7-920。

裝箱根據(jù)等級測試結(jié)果將同樣級別的處理器放在一起裝運

以上是我在知乎轉(zhuǎn)載的一篇科普文章,而最終來源是驅(qū)動之家2009年的一篇文章,鏈接

http://news.mydrivers.com/1/139/139076.htm

來自得閑炒飯的雪球原創(chuàng)專欄


對芯片產(chǎn)生興趣后在雪球和知乎都翻閱了很多文章 , 發(fā)現(xiàn)知乎的專業(yè)性還是要比雪球強很多 雪球的文章還是以暗示自己持股的心理按摩文比較多 , 想要真正入門了解一些信息 可以到知乎查閱一下專題 。

雖說是轉(zhuǎn)載的不過CTRL C和CTRL V也挺累的,不用說真正寫一篇文章了向原創(chuàng)者致敬!

 

 

 

   
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